中低真空系統

減壓條件下的流動氣體環境已用于低壓化學蒸發淀積、減壓外延和幾種等離子體工藝過程。所有這些工藝的共同環節是抽除有害氣體。機械泵和羅茨泵很適用于維持10至104Pa范圍的動態壓強。在低壓化學蒸發淀積和等離子體工藝過程中，通過反應室的氣流主要用來連續補充在生長或蝕刻過程中所消耗掉的反應劑。例如，在每批100片直徑76mm的基片的兩面上以20 nm/min的生長速率來生長膜層的多晶硅淀積時，通常要求300Pa·L/s的流量。氣體的消耗率和基片的數最、真空室的面積、膜層的生長速率和氣體反應劑的稀釋度與消耗量有關。

在某些商用減壓外延工藝中，大的氣流量稀釋反應劑以進行生長而不是蝕刻。在低壓強下外延硅時，300Pa·L/s的反應劑氣體流通常需要用105Pa·L/s左右的氫氣來進行稀釋，并流過103至104帕壓強的反應室。減壓外延是一個相當新的技術，對于工藝過程的主要部分將保持這樣大小的載氣流量這一點是不清楚的。

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